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摘要
采用简单的一步溶剂热法,以硝酸铋为铋源,硫代硫酸钠为硫源,将Bi2S3纳米粒子原位修饰在g-C3N4纳米片上,成功制备了零维/二维Bi2S3/g-C3N4异质结。利用XRD、SEM、TEM、UV-Vis、荧光光谱以及电化学分析方法等手段对所制备的光催化材料进行了表征。在可见光照射下,以罗丹明B(RhB)为模型污染物,研究其光催化降解效率。结果表明,Bi2S3以纳米颗粒的形式分散于g-C3N4纳米片上,形成了零维/二维异质结结构,拓宽了g-C3N4在可见光区的吸收,降低了电子-空穴对的复合概率;与纯g-C3N4相比,Bi2S3/g-C3N4异质结表现出更高的光催化效率。同时,Bi2S3/g-C3N4催化剂具有良好的光催化稳定性,经过5次循环后其光催化活性基本稳定。
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