(Bi,Yb)_4Ti_3O_(12)薄膜退火研究

作者：成传品; 唐明华; 叶志; 周益春; 郑学军

来源：半导体技术, 2007, (03): 234-237.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2007.03.014

• 溶胶-凝胶
• BYT铁电薄膜
• 退火温度
• 铁电性 Sol-Gel
• BYT ferroelectric thin films
• annealing temperature
• ferroelectricity

采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Yb0.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜。系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响。揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右。

• 单位
  湘潭大学