对低辐射薄膜电学性能的研究可以反应出功能层银的生长质量，而银的生长质量也决定了低辐射薄膜的性能。通过改变主体结构为ZnO/Ag/ZnO的低辐射薄膜中ZnO的氧气含量、工艺气压及厚度，研究其对薄膜的电学性能的影响。结果表明，当氧化锌氧气含量大于76%，工艺气压在0.62 Pa左右，前氧化锌厚度为10 nm，后氧化锌厚度大于等于5 nm时，膜层的电学性质最为优异。
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