新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征

作者：陈莹; 袁泽锐; 方攀; 谢婧; 张羽; 尹文龙^*; 康彬

来源：人工晶体学报, 2020, 49(08): 1505-1508.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.08.014

• 红外非线性光学材料
• SrCdGeSe4单晶
• 坩埚下降法
• 单晶生长
• 性质表征

锶镉锗硒(SrCdGeSe4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe4单晶,尺寸为■27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片,选取一片8×8×2 mm3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1～14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm2。

• 单位
  中国工程物理研究院; 四川省新材料研究中心; 中国工程物理研究院化工材料研究所