一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法

作者：李国强; 姚书南; 柴华卿; 林志霆; 王文樑

来源：2020-12-31, 中国, ZL202011640772.3.

本发明属于半导体的技术领域,公开了一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法。单片集成器件从下到上依次包括衬底、金属键合层、第一钝化层、组合区域、p-GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n-GaN层和第二钝化层；组合区域分为HEMT区和LED区,HEMT区从下到上依次包括电极层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层、i-GaN缓冲层；LED区从下到上依次包括P电极、Ag反射层；器件包括N电极,N电极贯穿于P电极等,N电极的两端延伸至金属键合层和n-GaN层的内部。本发明的器件简单,实现了可见光系统,提高了LED的带宽,改善了器件的性能。

• 单位
  华南理工大学