科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种无铅全无机钙钛矿铯铋碘薄膜/n-型硅异质结光电探测器及其制备方法,其是以n-型硅基底为光电探测器的基区,在n-型硅基底的下表面设置n-型硅基底电极；在n-型硅基底的上表面覆盖绝缘层,在绝缘层上覆盖钙钛矿CsBi3I10薄膜接触电极,在钙钛矿CsBi3I10薄膜接触电极上铺设钙钛矿CsBi3I10薄膜,薄膜一部分与钙钛矿CsBi3I10薄膜接触电极形成欧姆接触,剩余部分与n-型硅基底表面未覆盖绝缘层的部分形成异质结。本发明的光电探测器工艺简单、成本低廉、性质稳定、电流开关比大、响应速度快。
- 单位
