制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置,即使传统冷热探针原来固定的温度差改进为数值可变的量,做出了p、n型硅半导体样品的温差电动势随冷热探针温度差的变化关系。发现温差小于120℃时温差电动势与温差成正比,进而提出了一种测半导体掺杂浓度的实验测量方法。把装置处于磁场作用下,发现基于硅片的冷热探针产生的温差电动势有所增加。
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