非易失闪存中堆叠电容的精度控制研究与改善

作者：郎玉红; 陆振杰; 祁鹏

来源：上海师范大学学报(自然科学版), 2020, 49(04): 478-482.

• 闪存
• 堆叠电容
• ONO介质层
• 读写速度
• 数据存储能力

讨论了非易失闪存(NOR Flash)器件中ONO介质层厚度的精度控制.通过归一化不同密度器件分组,优化多层复杂薄膜的光学量测精度,优化氮化硅层的均匀性,实现了对ONO介质层厚度更精确的控制.结合光学厚度与电性厚度的相关性,可以及时得到ONO工艺的安全窗口.