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摘要
本发明公开了一种基于SiC和Ga2O3的半导体结构的制备方法,包括：选取SiC衬底层；在所述SiC衬底层表面上溅射Ga2O3靶材制备Ga2O3缓冲层；在所述Ga2O3缓冲层表面上溅射Ga2O3靶材制备Ga2O3薄膜层。本发明所提供的基于SiC和Ga2O3的半导体结构的制备方法首先在SiC衬底层表面通过溅射Ga2O3材料形成Ga2O3缓冲层,从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷,然后又在Ga2O3缓冲层表面通过溅射Ga2O3材料形成Ga2O3薄膜层,从而提高后续生长的Ga2O3薄膜层的结晶度,最终实现了在SiC衬底层上制备高结晶的Ga2O3薄膜材料的结构。
- 单位
