电子传输层结构对有机发光二极管性能的影响

作者：吕昭月; 谢海芬

来源：实验室研究与探索, 2021, 40(08): 37-41.

DOI：10.19927/j.cnki.syyt.2021.08.009

• 氟化锂
• N型掺杂效应
• 绝缘效应
• 电子传输

通过真空蒸镀制备ITO(氧化铟锡)/NPB(N,N′-二(萘-2-基)-N,N′-二(苯基)联苯-4,4′-二胺)/Alq3(8-羟基喹啉铝)/LiF/Alq3/Al(铝)的多层常规有机发光二极管(Organic Llight-Emitting Diode, OLED)器件,并采用2-(4-叔丁基苯)-5-(4-联苯基)-1,3,4-噁唑(PBD)取代Alq3作电子传输层,研究了不同厚度LiF在电子传输层中影响器件光电性能的物理机理。结果表明,PBD具有高于Alq3的电子迁移率,有助改善器件的电子传输,并发现LiF在电子传输层中具有双重效应:N型掺杂效应和绝缘效应。较薄的LiF表现为N型掺杂效应,提升了电子传输性能,改善OLED性能。厚度超过1.0 nm时,LiF表现为绝缘效应,器件的驱动电压会升高。PBD厚度为15 nm、LiF厚度1.0 nm时,器件的发光亮度和效率最优。

• 单位
  华东理工大学