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摘要
本发明涉及一种基于HEMT器件的热电子效应测试结构,包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(4)、栅极(5)、源极(6)、漏极(7)、第一掺杂区(9)、第二掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法,通过调整电压Va和Vb来控制势垒层中热电子的注入数量,并通过调整电压Va来控制势垒层中热电子的注入能量,解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控,以及非均匀注入势垒层等问题,有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。
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