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摘要
量子反常霍尔绝缘体具有与普通绝缘体一样的体带隙，但在其边缘或表面有拓扑保护的导电态。量子反常霍尔效应可以通过引入自旋轨道耦合相互作用和交换场来实现。文章重点研究了α-T3晶格在两种Rashba自旋轨道耦合相互作用以及交换场的作用下，通过分析体系的相图、能带结构、边缘态和拓扑不变量，理论预测该体系为实现丰富的拓扑相提供了一个平台，包括半金属相和量子反常霍尔相。同时，该体系也是一个实现谷极化量子反常霍尔相的平台。在谷极化量子反常霍尔相中，边缘输运通道集中在单个能谷中，并且在边界上单向传播，可实现无耗散的100%的谷极化。我们的研究不仅发现了丰富的拓扑相，而且为拓扑电子学以及谷电子学应用提供了一个可行的平台。
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