一种0.15μm GaAs pHEMT高效率功率放大器

作者：毛小庆; **畅; 陈志巍; 喻青; 高海军

来源：微电子学, 2020, 50(04): 499-508.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190533

• 功率放大器
• 最大输出功率
• 自偏置技术
• 增益峰值

基于0.15μm GaAs(D-Mode)pHEMT工艺,采用多级级联的方式,设计了一种中心频率为2.4 GHz的高效率功率放大器。采用两级级联放大结构,驱动级采用共源结构,提高了输出功率和线性度。功率级采用自偏置技术共源共栅结构,增益和效率得到提升。工作模式分别为A类和AB类。版图面积为1.45 mm2。仿真结果表明,在驱动级电路工作于5 V、功率级电路工作于10 V、频率为2.4 GHz的条件下,1 dB压缩点功率为31.99 dBm,最大输出功率为32.01 dBm,小信号增益为30.51 dB,功率附加效率为40.74%。输入功率为1.48 dBm时,在1.94～2.82 GHz频带内,输出功率为30.29～32.07 dBm,功率附加效率为30%～41.9%,小信号增益峰值为31.97 dB,3 dB带宽为880 MHz。

• 单位
  杭州电子科技大学