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摘要
本发明公开了一种具有复合终端结构的氧化镓肖特基二极管及其制备方法,主要解决现有技术难以实现氧化镓p型掺杂、击穿电压低及工艺复杂的缺点。其自下而上包括欧姆金属层(1)、n～+β-Ga-2O-3衬底(2)、n～-β-Ga-2O-3外延层(3)、结终端拓展JTE区域(4)和浮空金属环FML区域(5),该JTE区域由n个p型保护环组成,其均匀设置于n～-β-Ga-2O-3外延层上部的中间位置,每一个保护环均采用p型ZnNiO或NiO材料；该FML区域由n个金属环组成,其均匀设置于JTE区域上部的间隙位置,每一个金属环均采用Ni/Au。本发明抑制边缘电场能力强,击穿电压高,工艺简单,可用作功率电子器件和高压开关器件。
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