第3代半导体碳化硅功率器件用高导热氮化硅陶瓷基板最新进展

作者：张伟儒

来源：新材料产业, 2021, (05): 7-13.

DOI：10.19599/j.issn.1008-892x.2021.05.003

<正>第3代半导体一般指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料,也称为宽禁带半导体材料。半导体产业发展大致分为3个阶段,以硅(Si)为代表的通常称为第1代半导体材料;以砷化镓为代表的称为第2代半导体材料,已得到广泛应用;而以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石等宽禁带为代表的第3代半导体材料,由于其较第1代、

• 单位
  中材高新材料股份有限公司