三硒化二铟纳米线的尺寸依赖性光电导研究

作者：朱伟林; 张文昊; 钟子平; 廖良欣; 夏治洋; 李钦亮^*

来源：江西师范大学学报(自然科学版), 2019, 43(06): 582-586.

DOI：10.16357/j.cnki.issn1000-5862.2019.06.05

• In_2Se_3纳米线
• 光电导
• 尺寸效应

利用气-液-固(VLS)生长机理合成出高质量的单晶三硒化二铟(In2Se3)纳米线,所合成的In2Se3纳米线的直径分布在20～200 nm范围内,长度为几十微米.采用标准的微纳加工工艺,成功构建了基于单根In2Se3纳米线的器件,其器件结构为电阻型结构.经过对一系列具有不同直径大小的In2Se3纳米器件的光电导性能研究,该类器件的光电导性能表现出明显的尺寸依赖性,为构建基于In2Se3纳米线的高效光探测器提供了关键的实验和理论依据.

• 单位
  江西师范大学