一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用

作者：李京波; 岳倩; 高伟; 张峰; 张帅; 郑涛

来源：2021-03-08, 中国, ZL202110251925.3.

本发明属于紫外-可见探测技术领域,公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用,该晶体管的结构为SiC/SiO-2/SnS-2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极,SnS-2纳米片和SiC衬底接触形成异质结；该方法在清洗的SiC上沉积SiO-2膜,利用激光直写技术获得SiO-2窗口,将SnS-2纳米片转移至SiC上形成SiC-SnS-2异质结,沉积金属得到源电极和漏电极,六方氮化硼作为栅极介电层,石墨烯作为顶栅电极材料,再光刻沉积金属制备栅电极,在150～250℃退火制得。该光电晶体管具有良好的栅压调控能力、较高的光灵敏度、较快的响应时间和较高的比探测率。

• 单位
  华南师范大学