多层片式ZnO压敏电阻器内电极材料研究

作者：钟明峰; 苏达根; 庄严

来源：电子元件与材料, 2005, (11): 11-12.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2005.11.003

• 电子技术
• 多层片式压敏电阻器
• 电性能
• 内电极材料
• 钯含量 electronic technology
• multilayer chip varistor
• electric properties
• inner electrode
• palladium content

把三种不同钯银比例的浆料用作多层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)的内电极材料,并研究了它们对MLCV电性能的影响。结果表明:含钯内电极材料的压敏电阻的电性能,明显优于纯银内电极的压敏电阻。压敏电阻的限制电压与压敏电压比(Vc/V1mA)及漏电流(IL)随着钯含量的升高而减小;非线性系数(α)、峰值电流(Ip)及能量耐量(ET),随着钯含量的升高而提高。分析认为,随着内电极材料中Ag含量的升高,Ag+的扩散增加,导致晶粒电阻增加,即施主浓度(Nd)减少,势垒高度(■)升高,致使MLCV的电性能劣化。

• 单位
  华南理工大学