科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明公开了一种单片集成的振荡器及制备方法,其中振荡器包括氮化镓体声波谐振器、HEMT器件、电阻、电感和电容,所有的元件集成在同一芯片上。制备方法包括：台阶刻蚀；欧姆接触：制作HEMT器件的源极和漏极；肖特基接触：制作氮化镓体声波谐振器的上电极、HEMT器件的栅极、电感及电容的第一层金属；介质层图形化：实现HEMT器件钝化,以及实现第一层金属和第二层金属的隔离,形成电容和电感；第二金属层图形化：形成电感和电容的第二层金属；硅衬底释放：制作氮化镓体声波谐振器的谐振腔；底电极沉积：完成体声波谐振器的底电极制作。本发明的振荡器的振荡频率高,机电耦合强,可广泛应用于微机电系统振荡器技术领域。
- 单位
