一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准

作者：陈杰浩; 郭志弘; 胡浩^*

来源：微电子学, 2023, 53(01): 8-13.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.210492

• 带隙基准
• 高PSRR
• 分段温度补偿

基于华虹0.18μm BCD工艺，设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准。电路采用5 V电源进行供电，基准输出电压为1.256 V。仿真结果表明，在-45～125℃的温度范围内，TT工艺角下，传统结构的温漂系数只能达到2.048×10-5/℃。采用新型分段温度补偿的带隙基准的温漂系数为3.631×10-6/℃,相比传统结构，温度系数降低了82.3%。静态功耗为220μW。PSRR在低频可达到-102 dB,在350 kHz处有最差PSRR,但仍有-30 dB。该带隙基准适用于高精度、大电流开关电源的模拟集成电路。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室