极低插损的超宽带低温耦合器设计

作者：陈荣飞

来源：低温与超导, 2019, 47(06): 51-54.

DOI：10.16711/j.1001-7100.2019.06.009

• 超宽带
• 低温耦合器
• 插损
• 耦合度

本文介绍了一种工作温度≤20 K(-253℃)的超宽带低温耦合器的设计方法,采用超宽带对称式耦合器理论设计出2～14 GHz超宽带、30 d B的耦合器,针对低温环境影响,采取特殊工艺,实现超宽带低温耦合器工作温度≤20 K。通过ADS仿真软件对其进行仿真并经实测,结果表明,该耦合器具有优良的性能,在11 K工作温度下,2～14 GHz全频带内插损≤0. 23 d B,耦合度为29. 32～30. 76 d B,带内波动≤1. 44 dB,端口驻波≤1. 3,实测数据与仿真结果具有很好的一致性。