制备SiO2腐蚀溶液BOE,对SiO2湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO2薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO2侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果表明,光刻胶掩模与SiO2膜层之间的附着性随前烘温度和前烘时间的增加而增强,而介质横向腐蚀速率随附着性的增强而下降,同时纵向腐蚀速率保持恒定。分析了造成侧壁陡直性差的原因,并通过对腐蚀原理分析给出了控制SiO2侧壁腐蚀形貌的方法。
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