摘要

本文运用密度泛函理论(DFT)研究了四氮杂环庚烯底物(M0)及其噻吩衍生物(M1~M4)的HOMO与LUMO能量、电离能(IP)、电子亲和势(EA)以及重组能(λ)。运用含时密度泛函理论(TDDFT)计算上述化合物的吸收与荧光光谱。结果表明,对于M0~M4分子,■电子跃迁均归属于相应分子HOMO、LUMO之间的■跃迁,S1态均为明态。引入噻吩对上述化合物的光物理性质产生深刻影响。■电子跃迁振子强度由相对较强(M0~M1)变成最强(M2~M4)。随着噻吩环增多,计算的IP、λ值依次降低而EA值依次增大,表明相应空穴、电子的注入与传输能力依次增强。λelectron与λhole差值小(≤0.09 eV),表明空穴、电子传输平衡性好。所有计算结果暗示M3~M4分子可用作有机发光二极管(OLEDs)的空穴、电子注入和传输材料。