科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用55 nm CMOS工艺，面向毫米波雷达应用，设计了一款74～88 GHz高性能CMOS低噪声放大器（LNA）。该LNA应用共源共栅结构，为了改善噪声系数、提高稳定性增益，采用级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术和基于反相双圈耦合的等效跨导增强技术。和传统共栅短接技术相比，级间寄生电容抵消的电感反馈共栅短接技术改善噪声系数1.58 dB，提高稳定性增益7.67 dB。芯片测试结果表明，LNA峰值增益为17.1 dB，最小噪声系数为6.3 dB,3 dB带宽为14 GHz(74.8～88.8 GHz)，在78 GHz中心频率处输入1 dB压缩点（IP1dB）为-10.2 dBm，功耗为102 mW。
- 单位
