BAs晶体生长研究进展

作者：刘京明; 赵有文^*

来源：人工晶体学报, 2021, 50(02): 391-396.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20210202.001

• 砷化硼
• 热导率
• 化合物半导体
• 晶体生长
• 化学气相传输

立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散热领域表现出广阔应用前景,成为当前的研究热点。近年来立方BAs单晶材料的制备取得突破性进展,采用化学气相传输法(CVT)合成了毫米尺寸的高质量单晶,室温下热导率高达1 300 W·m-1·K-1。本文介绍了BAs单晶的性质和生长方法,综述了材料研究进展,阐述了晶体生长面临的技术挑战,并对发展前景进行了展望。

• 单位
  中国科学院半导体研究所