硅中缺陷的透射电镜观察

作者：谢锋; 刘剑霜; 陈一; 胡刚

来源：半导体技术, 2004, 29(03): 28-30+66.

DOI：10.3969/j.issn.1003-353X.2004.03.009

• 透射电镜
• 氧沉积
• 二次缺陷

随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视。通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析。

• 单位
  复旦大学