针对改进的化学汽相沉积工艺结合溶液掺杂法制备的铒镱共掺光纤,通过研究芯层层数、疏松芯层反应原材料流量、脱水时间以及沉积温度等因素对光纤本底损耗的影响,优化了疏松芯层的沉积工艺与脱水工艺,最终将铒镱共掺光纤在1 200 nm波长处的本底损耗降至10.5 dB/km。该研究工作对于低损耗掺稀土光纤的研制具有一定的借鉴意义。