环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法

作者：何云龙; 马晓华; 赵垚澎; 王冲; 郑雪峰; 郝跃

来源：2021-01-21, 中国, ZL202110083053.4.

本发明涉及一种环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件及其制备方法,该功率器件包括：衬底；源区部分,设置在衬底上的一侧；漏区部分,设置在衬底上的另一侧,且与源区部分相对设置；若干纳米沟道,间隔设置在源区部分与漏区部分之间,且悬空设置在衬底的上方；源电极,设置在源区部分上；漏电极,设置在漏区部分上；介质层,设置在源电极和漏电极之间,覆盖纳米沟道垂直于衬底的两个侧面以及纳米沟道的顶面；栅电极,位于源电极与漏电极之间,且覆盖介质层垂直于衬底的两个侧面、介质层的顶面以及纳米沟道的底面。本发明的环形MIS栅增强型AlGaN沟道异质结功率器件,实现增强型器件的同时提高了器件击穿电压。

• 单位
  西安电子科技大学