带浮空层的LDMOS器件特性研究

作者：赵婉婉; 冯懿; 陈子馨

来源：科技创新与应用, 2021, (10): 63-65.

• 浮空层
• LDMOS
• 击穿电压

为提升器件击穿特性,在Double-RESURF器件的衬底上引入N型的浮空层,构建出一种带部分浮空层的LDMOS器件。利用TCAD仿真软件对器件进行仿真,通过建立二维击穿模型的建立,对器件的结构参数进行优化,实现提升器件的击穿性能的目的。结果表明对器件结构参数进行优化可以改善器件的击穿性能。

• 单位
  上海电力大学