基于F28335的SiC MOSFET驱动系统设计

作者：范士颖; 崔江

来源：机械制造与自动化, 2021, 50(04): 121-124.

DOI：10.19344/j.cnki.issn1671-5276.2021.04.032

• SiC MOSFET
• 驱动电路
• 数字信号处理器

由于SiC MOSFET开关速度较快,不能用普通Si MOSFET的栅极驱动电路来驱动。设计一种基于F28335的SiC MOSFET栅极驱动电路,利用键盘调节F28335输出PWM信号的频率、占空比、死区和移相值,并在LCM12864液晶屏上实时显示调节值。将PWM信号作为SiC MOSFET栅极驱动电路输入信号应用于驱动电路,从而实现对SiC MOSFET通断控制。实验结果表明:相比于Si MOSFET栅极驱动电路而言,所提出的基于F28335的SiC MOSFET栅极驱动电路操作方便,体积小,稳定性好。

• 单位
  自动化学院; 南京航空航天大学