Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的取向生长及其铁电介电特性研究

作者：乔燕; 陈晓琴; 祁亚军; 卢朝靖; 朱劲松

来源：四川大学学报(自然科学版), 2005, S1: 175-177.

• Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)
• 铁电
• 薄膜 Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)
• ferroelectric
• thin film

用sol-gel工艺直接在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备出了a轴择优取向(α(100)=62%)和高c轴取向(α(100)=96%)的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)薄膜.发现BNdT薄膜的铁电介电性能强烈依赖于晶粒取向.a轴择优取向BNdT薄膜的2Pr和εr值最高,分别为65μC/cm2和343(100kHz处);随机取向薄膜的2Pr和εr值为34μC/cm2和331;而高c轴取向薄膜的2Pr和εr值最低,分别为23μC/cm2和218.上述结果表明,BNdT的自发极化矢量靠近a轴.纯a轴取向BNdT薄膜的2Pr值可估算为84μC/cm2.

• 单位
  南京大学; 电子信息工程学院; 固体微结构物理国家重点实验室; 江汉大学; 湖北大学