铜掺杂NiO薄膜微区电学性能研究

作者：张翼东

来源：郑州师范教育, 2021, 10(02): 6-12.

• NiO薄膜
• 微区电流
• 铜掺杂

采用导电原子力显微镜(C-AFM)和开尔文探针力显微镜(KPFM)研究了掺杂铜的氧化镍(NiO)薄膜在氟锡氧化物(FTO)衬底上的微区电流成像。研究结果表明:掺杂铜对NiO薄膜的微区电流和功函数有显著影响。Cu+和镍空位缺陷的存在使NiO薄膜拥有较高的微区电流和功函数。微区电流与理查森-肖特基(RS)热离子发射模型一致。

• 单位
  许昌学院