针对现有蒸镀电极用掩膜版或加工成本高或精度差的不足,本发明公开了蒸镀电极的免光刻高精度铜箔掩模版的制备方法,是在铜箔表面旋涂正性光刻胶,通过紫外曝光工艺,在铜箔上形成所需的电极图形,然后将此铜箔放入铜刻蚀液中,在光刻胶的保护下刻蚀出所光刻的图形,去胶即可完成铜箔掩模版的制备。该铜箔掩模版可直接用于蒸镀电极使用,免去了器件制备中的多步光刻工艺,避免了光刻过程可能对材料以及器件性能造成的不利影响。本发明制备方法简单易行,稳定可靠,可以应用到各种微纳米尺寸器件电极的制备。
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