基于STM32的变温霍尔效应装置设计

作者:孟洪州; 张科; 陈龙; 向泽英; 罗浩*
来源:大学物理实验, 2021, 34(01): 79-82.
DOI:10.14139/j.cnki.cn22-1228.2021.01.021

摘要

霍尔元器件的霍尔电势、灵敏度系数、内阻等参数会随温度的改变而发生变化,本文设计了一种基于STM32温度连续可调的霍尔效应装置。应用单片机、恒流源、继电器、数字温度传感器、温度控制等硬件电路,对传统单一温度装置进行了优化,可实现在-20℃到100 ℃温度范围内连续可调。并开发了一种Web前端可视化系统用以分析实验数据,该装置对于分析和研究半导体材料在不同温度下的电学特性及霍尔效应的广泛应用有较大意义。

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