主要开展了193 nm紫外激光对单晶硅的损伤实验，观察分析了材料表面的损伤形貌，建立了193 nm紫外激光损伤单晶硅的理论模型，计算分析了材料的温度场及应力场分布，讨论了损伤形貌及损伤机理。研究结果表明：193 nm紫外激光对单晶硅的损伤机理主要为热力耦合效应，硅材料表面产生严重的熔融烧蚀和裂纹状的应力损伤，计算得到193 nm紫外激光对单晶硅的熔融损伤阈值为0.71 J/cm2、热应力损伤阈值为0.42 J/cm2。
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