硅对镉胁迫下烟草光合作用的影响

作者：郑明瑜; 罗丽娟; 李荟星; 唐莉娜; 陈星峰; 李延

来源：烟草科技, 2016, 49(12): 1-7.

DOI：10.16135/j.issn1002-0861.2016.0252

• 烟草
• 镉胁迫
• 硅
• 光合作用

为研究硅对镉胁迫下烟草光合作用的影响,以云烟87为试验材料,以CdCl2·2.5H2O为镉源,K2SiO3为硅源,用KNO3和HNO3消除因添加K2Si O3而带来营养液pH和K+升高的影响,设置5个处理的水培试验:对照(CK)、0.05 mmol·L-1Cd2+(Cd0.05)、0.10 mmol·L-1Cd2+(Cd0.10)、0.05 mmol·L-1Cd2++1.00 mmol·L-1SiO2(Cd0.05+Si)、0.10 mmol·L-1Cd2++1.00 mmol·L-1SiO2(Cd0.10+Si)。结果表明,Cd0.05和Cd0.10处理能明显降低烟株的高度,减少烟株的叶面积和生物量,净光合作用速率分别较CK下降52.02%和73.75%,差异极显著。硅可缓解镉胁迫对烟草的毒害作用,与Cd0.05和Cd0.10处理比较,Cd0.05+Si和Cd0.10+Si处理的气孔导度分别升高259.90%和13.29%,叶绿素含量分别增加43.47%和92.33%,净光合速率分别提高99.90%和72.78%。施硅能提高镉胁迫下烟草的表观量子效率和羧化效率。相关分析表明,烟草净光合作用速率与叶绿体中的镉含量存在显著负相关,而施硅能降低烟草叶绿体中的镉含量,这是硅提高镉胁迫下烟草光合作用的重要原因之一。

• 单位
  福建农林大学