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摘要
1947年贝尔实验室诞生第一块晶体管,经过70多年的发展,集成电路芯片技术已日新月异,人类已向1 nm技术节点发起挑战。随着集成电路制造技术的飞速发展,新材料、新结构的不断引入,High-k栅氧化物层+金属栅极、鳍式场效应晶体管、环绕式栅极技术晶体管、垂直传输场效晶体管等技术对制造核心工艺中等离子体刻蚀设备的要求也越来越高。总结集成电路制造领域的等离子体刻蚀设备及其核心零部件技术发展历程和路线,对等离子体刻蚀设备的研发非常重要。本文就刻蚀设备的发展历史、静电卡盘、射频电源、射频匹配器、终点检测技术等核心零部件的技术发展路线进行探讨,为集成电路核心装备的开发提供思路。
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