CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据

作者：吴燕; 黄胜利; 朱贤方; 李论雄; 王占国; 王连洲

来源：科学通报, 2009, (19): 2988-2992.

• SiOx纳米线
• VLS生长机制
• 化学气相沉积 SiO2 nanowire
• vapor-liquid-solid (VLS) mechanism
• chemical vapor deposition

在纳米线的制备中,气-液-固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可,但该机制的很多细节还停留在模型阶段.依托实验室自行设计的一台生长条件高度可控的高温化学气相沉积(CVD)系统,采用较为简便的方法,直接在Si片衬底上制备出了SiOx纳米线.通过严格控制实验参数,用离位观测捕捉到了纳米线的催化、形核和长大的一系列过程及其相关细节,并发现纳米线从细到粗的气-液-固(VLS)生长机制.讨论了气-液-固(VLS)机制中气态Si原子的来源以及纳米线的催化、形核和长大过程中的纳米曲率效应和"纳米熟化"现象,取得了对SiOx纳米线VLS催化生长机制的理解的突破.

• 单位
  university of Queensland; 中国科学院固体物理研究所; The University of Queensland; 厦门大学; 中国科学院半导体研究所; 集美大学