摘要

为提高毫米波段倍频器在低功耗下的工作带宽,采用IHP130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种采用双端注入(DEI)技术的毫米波宽锁定范围注入锁定倍频器。该注入锁定倍频器主要由谐波发生器和带有尾电流源的振荡器构成,由巴伦产生差分信号双端注入振荡器的形式提高三次谐波注入强度,使其在E、W等波段输出宽锁定范围和良好相位噪声性能的三倍频信号。仿真结果表明,注入锁定倍频器在工作电压为1.2 V,输入信号功率为0 dBm时,其锁定范围在57~105 GHz内。在相同工作电压和输入信号功率下,输入频率为32 GHz时,一次、二次和四次谐波抑制大于20 dBc,功耗为9.1 mW。

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