横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器

作者：廖乃镘; 刘绪化; 刘昌林; 张明丹; 李仁豪; 李金; 何达

来源：半导体光电, 2019, 40(01): 17-24.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.01.003

• 时间延迟积分
• 电荷耦合器件
• 多光谱
• 横向抗弥散
• 图像传感器

时间延迟积分电荷耦合器件(TDI CCD)主要应用于弱光信号探测,其在强光应用场合容易出现弥散现象。针对该问题,研制了横向抗弥散多光谱TDI CCD图像传感器。该器件包含四个多光谱段(B1～B4区),有效像元数为3 072元,像元尺寸为28μm×28μm。大像元可以在弱光环境下提供良好的光谱区分能力,通过滤光片可获得蓝光、绿光、红光和近红外波段的图像。为了减小抗弥散对器件满阱电子数的不利影响,采用了紧凑的抗弥散结构,仅占像元面积的7.1%。器件满阱电子数为500ke-,抗弥散能力为100倍,读出噪声小于等于70e-,动态范围大于等于7143∶1。