念珠菌定植引发侵袭性感染早期优势抗原的体液免疫回忆应答

作者：商秀娟; 陈笑; 李芳秋; 胡毓安; 史利宁; 刘倩

来源：医学研究生学报, 2017, 30(01): 21-25.

DOI：10.16571/j.cnki.1008-8199.2017.01.005

• 念珠菌感染
• 体液免疫
• 记忆B细胞
• ELISPOT

目的临床发现侵袭性念珠菌病早期,患者抗念珠菌Eno抗原Ig G抗体水平升高,本文拟用动物实验探讨该现象是否与念珠菌定植导致的体液免疫回忆应答有关。方法小鼠用随机数字表法分为4组:第1组小鼠先行口腔定植念珠菌而后进行腹腔感染(定植后感染免疫正常组,n=8),第2组在第1组基础上外加免疫抑制处理(定植后感染免疫抑制组,n=8),第3组给予念珠菌定植,不进行腹腔感染(定植未感染免疫正常组,n=4),第4组不给予念珠菌定植,直接进行腹腔感染(未定植感染免疫正常组,n=4)。检测免疫正常和免疫抑制状态的感染小鼠脾中念珠菌烯醇化酶(Eno)特异的记忆B细胞(Bm)的数量以及血清抗Eno Ig G、Ig M和Ig A水平。结果定植后感染免疫正常组和定植后感染免疫抑制组小鼠Eno抗原特异性Bm数(47.25±13.81、43.14±15.95)明显多于定植未感染免疫正常组和未定植感染免疫正常组(8.00±3.74、8.50±2.38),差异有统计学意义(P<0.01);而定植后感染免疫正常组和定植后感染免疫抑制组、定植未感染免疫正常组与未定植感染免疫正常组间差异无统计学意义(P>0.05)。念珠菌定植后感染的小鼠血清抗Eno Ig G水平较Ig M、Ig A水平显著升高;抗Eno Ig G水平与特异性Bm频数呈正相关(r=0.737,P<0.01)。抗Eno Ig G水平与特异性Bm频数呈正相关(r=0.737,P<0.01)。结论念珠菌定植并在遭受侵袭性感染后特异性记忆细胞短时大量增殖可致Eno特异性Ig G抗体水平快速升高。

• 单位
  南京军区南京总医院