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摘要
本文介绍了一种基于GaN器件的L波单级功率模块设计方法。根据小栅宽管芯模型,在ADS设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,在此基础上进行预匹配器件和外电路设计的小型化设计。研制成功的GaN功率模块外形尺寸为39 mm×25mm×3.1 mm,相对带宽24%,在1.1～1.4 GHz频带内具有输出功率大于100 W,功率增益大于14.5 dB,漏极效率大于50%的性能指标。
- 单位
本文介绍了一种基于GaN器件的L波单级功率模块设计方法。根据小栅宽管芯模型,在ADS设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅宽管芯的输入、输出阻抗,在此基础上进行预匹配器件和外电路设计的小型化设计。研制成功的GaN功率模块外形尺寸为39 mm×25mm×3.1 mm,相对带宽24%,在1.1～1.4 GHz频带内具有输出功率大于100 W,功率增益大于14.5 dB,漏极效率大于50%的性能指标。
