科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
为了改善SiC晶须的磁损耗性能,提高吸波性能,扩大其在科技、军事等领域的应用范围。本实验采用化学镀钴的方式制备SiCw-Co复合材料,选定化学镀溶液中硫酸钴的质量、化学镀的时间、化学镀的温度三个因素,设计了一个"三因素三水平"的正交实验,运用极差分析法讨论硫酸钴的质量、化学镀的时间和温度对SiCw-Co复合材料吸波性能的影响,最终得到制备SiCw-Co复合材料的最佳工艺。结果表明:在SiC晶须表面镀钴的最佳条件:化学镀溶液中硫酸钴的质量为8.0 g,化学镀时间为5 min,化学镀的温度为80℃。此时SiCw-Co复合材料的吸波性能最好,反射损失率最小为-20.12 dB,低于-10 dB的波段宽度约为3 GHz,同时具有一定的介电损耗和磁损耗能力。
- 单位
