高性能金属铟镓锌氧化物TFT的研究

作者：刘翔; 张盛东; 薛建设; 宁策; 杨静; 王刚

来源：真空科学与技术学报, 2014, 34(02): 130-133.

• 金属氧化物薄膜晶体管
• 铟镓锌氧化物半导体
• 高迁移率
• 高性能

在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 V,开态电流为1.58×10-4 A,关态电流为3.0×10-12,开关比为5.27×107,亚阈值摆幅为0.44V/Dev,验证了TFT的均一性和重复性。此外还研究了可见光照和电压偏应力对IGZO TFT性能的影响,可见光照不会促使IGZO TFT Vth的漂移,进行2 h的负偏电压应力测试,IGZO TFT的Vth几乎没有漂移。使用上述IGZO TFT基板成功地制作了中国大陆第一款Oxide-LCD样机(18.5英寸),展现出良好的效果。

• 单位
  京东方科技集团股份有限公司; 北京大学