用于改善电流过冲的叠层HfO2基阻变存储器及其制作方法

作者：高海霞; 马匆匆; 谷茜茜; 杨银堂

来源：2017-10-13, 中国, CN201710953797.0.

本发明公开了一种改善电流过冲现象的叠层HfO2基阻变存储器及其制作方法。该器件自下而上包括：衬底(1)、底电极(2)和顶电极(5),其中底电极(2)与顶电极(5)之间依次设有厚度为30～40nm,氧氩比为15～20％的HfOx供氧层(3)和厚度为10～20nm,氧氩比为40％～45％的HfOy阻变层(4),HfOx供氧层(3)中存在大量的氧空位缺陷,充当氧空位“水泵”作用,HfOy阻变层(4)用于实现导电细丝的形成与断裂,完成高低阻态之间的转换。本发明通过优化阻变层HfOy介质薄膜的组分来改变薄膜质量,控制介质中的缺陷,提高了器件性能,从而改善了电流过冲效应,可用于大规模集成电路的制作。

• 单位
  西安电子科技大学