SONOS存储单元数据保持特性退化研究

作者：闫宇泽; 刘岐; 周泉; 李清^*; 俞军

来源：微电子学, 2023, 53(06): 1104-1108.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.230122

• SONOS
• 数据保持
• 退化

探讨了基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿进行编程、擦除的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储单元在擦写循环后的数据保持特性。分别通过分析和实验研究了擦写过程中操作电压大小对于VTH(编程)态、VTL(擦除)态存储单元数据保持性能退化的影响。对于VTH态单元，其数据保持性能退化程度受操作电压大小的影响不明显，电荷流失速度主要受温度影响；而VTL态单元数据保持性能退化程度受操作电压大小的影响较大，电荷流失速度与温度的关系不明显。通过对比不同操作条件下进行擦写循环后的数据保持性能退化程度，总结了有利于减小SONOS存储器数据保持性能退化的操作条件。

• 单位
  复旦大学