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摘要
本发明属于LED的技术领域,公开了一种表面等离激元增强型LED及其制备方法。表面等离激元增强型LED,包括导电衬底,第一绝缘层、金属P电极、金属纳米层、金属键合层、柱状N电极、第二绝缘层、DBR反射层、p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n型GaN层；结构中电极为嵌入式电极结构。本发明还公开了表面等离激元增强型LED的制备方法。本发明将嵌入式电极结构和金属纳米层结合提高了GaN基LED光源量子效率、光输出功率、增强光通信的调制带宽；且金属纳米层的制作位于P电极制作之前、外延生长之后,避免了以往中断外延层生长而沉积金属,最终对外延腔室造成污染的问题。
- 单位
