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摘要
由惠普、IBM和希捷公司共同开发的线性磁带开放技术(LTO),自问市10周年以来,其驱动器发货量现已超过330万件,是现在服务器储存市场的主流产品。LTO制式产品的前三代产品均采用各向异性磁电阻磁头,本文详细地研究了三代LTO磁头的设计和关键功能参数,结果表明,写线圈的多种设计均能满足产品要求,磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度是影响磁头性能的主要因素,磁头的性能随磁电阻材料NiFe的厚度的减小会有所下降。
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由惠普、IBM和希捷公司共同开发的线性磁带开放技术(LTO),自问市10周年以来,其驱动器发货量现已超过330万件,是现在服务器储存市场的主流产品。LTO制式产品的前三代产品均采用各向异性磁电阻磁头,本文详细地研究了三代LTO磁头的设计和关键功能参数,结果表明,写线圈的多种设计均能满足产品要求,磁电阻材料NiFe和偏转磁场材料CoZrMo的厚度是影响磁头性能的主要因素,磁头的性能随磁电阻材料NiFe的厚度的减小会有所下降。
