采用非支配排序多目标遗传算法进行真空灭弧室静态绝缘优化。以12 kV/1250 A/31.5 kA真空灭弧室为研究对象,以其内部绝缘存在竞争关系的动静触头两侧子区域电场均匀度为双优化目标,对灭弧室内部电场与静态绝缘进行优化设计,得到帕累托前沿非支配解集,并筛选求得最优解,进而得到全场域电场均匀度、电场强度最大值及三面交接区域场强变化规律,以解决全局绝缘水平优化及分域权重系数优化问题。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
