摘要
目的研究氧化石墨烯(GO)对水化硅酸钙(C-S-H)早期生长的影响机理,比较有无GO环境下C-S-H的结构差异。方法采用反应分子动力学,利用氧化硅溶胶凝胶合成过程的硅链结构聚合反应,模拟在4 nm GO纳米狭缝中C-S-H的生成过程,分析体系内C-S-H结构演变、径向分布函数、化学组分及Qn单元的分布。结果 GO体系内,钙、硅离子分布出现富集区,硅原子与桥位氧原子键连单元比例增加,Q3、Q4等高聚合度单元数量大幅提高。结论 GO的位阻效应以及含氧基团的离子吸附作用,降低了C-S-H的聚合势垒,提高了C-S-H的聚合度。
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单位土木工程学院; 沈阳建筑大学